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  • 中國數據存儲服務平臺

    2024年之前智能手機存儲已經就緒

    5G網絡峰值速率在1Gbit/s左右,為4G網絡速度的10倍,1GB的文件,10秒左右就可以下來,可以說,5G網絡的高速是非常驚人的。與5G網絡適配,對于存儲帶寬的需求在100MB/s左右。

    5G下載并不是帶寬要求最高在的應用,相比超高分辨率相機、增強現實/虛擬現實、游戲和8K視頻等新興應用,以8K視頻為例,30幀/s 拍攝對數據存儲帶寬的需求達到1000MB/s左右,是5G網絡的10倍。因此,對于一款智能手機內部數據存儲產品而言,1000MB/s將是一個衡量的門檻,只有達到這樣的一個水準,才能夠被稱為未來就緒的存儲產品。

    按照判斷:1000MB/s應該能夠滿足2024年之前,智能手機應用對帶寬存儲新能的需求。

    西部數據公司日前發布了最新的第二代UFS 3.1存儲解決方案——西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件就是這樣一款產品。

    從性能指標上看,西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的順序讀寫能力為2,000MB/s;順序寫入峰值帶寬為1,550MB/s,遠遠高于1,000MB/s的門檻。

    那么,西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件在技術上是怎么做到的呢?

    西部數據公司中國區智能終端產品事業部高級銷售總監文芳透露,主要依賴于閃存顆粒、閃存控制器和固件技術的進步。

    西部數據公司中國區智能終端產品事業部高級銷售總監文芳女士(左) 以及西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅先生 (右)

    以西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件所使用的第六代162層3D閃存顆粒為例,它是西部數據與鎧俠10年聯合研發閃存顆粒的第15代產品,它沒有按照傳統八層交錯式存儲孔陣列設計,而是通過第六代創新架構將橫向單元陣列密度提高了約10%,結合162層堆疊式垂直設計,使每個晶圓的制造位增加了70%;通過陣列CMOS電路布局和四路同時操作,性能可提高近2.4倍,讀取延遲減少約10%,I/O性能也提高了約66%。

    有了第六代162層3D閃存顆粒的基礎,配合西部數據獨立研發的控制器技術和固件設計,在滿足JEDEC UFS 3.1規范要求的基礎上,借助西部數據第七代Smart SLC Write Booster 技術,西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件進一步融合JEDEC標準規范,實現了前所未有的競爭力。

    文芳表示:西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是iNAND系列產品的新成員,十多年來,該系列產品一直深受全球主要智能手機制造商的信任。西部數據持續深耕移動生態系統領域,與領先的SoC系統設計人員合作,在智能手機的參考設計中驗證其UFS 3.1解決方案,從而為制造商提供經過測試的解決方案。西部數據iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件樣品現已開始供貨。容量版本有128GB、256GB和512GB三種類型。

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